Si-Photomultiplier – SiPM
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Si-Photomultiplier – SiPM
Si-Photomultiplier (SiPM) sind Halbleiter-Bauelemente zum hochempfindlichen Nachweis von Licht. Wie bei klassischen Photomultiplierröhren können einzelne Photonen nachgewiesen werden. Gleichzeitig entsprechen Bauform, Betriebsbedingungen und Kosten weitgehend einfachen Photodioden. SiPMs bestehen aus einem – nicht einzeln adressierbaren – Array von miniaturisierten Single-Photon-Avalanche Dioden (SPAD).
Broadcom SiPMs ermöglichen den Aufbau preiswerter und kompakter Geräte. Kleinste Lichtmengen können unter Verwendung von einfacher Ausleseelektronik gemessen werden, da bereits eine intrinsische Verstärkung von 10e6 vorliegt. Mit ca. 40 V Betriebsspannung ist ein kostengünstiges und einfaches Systemdesign, selbst in explosionsgefährdeten Bereichen möglich.
Für die radioaktive Messtechnik empfehlen wir die Bauteile der NUV-MT-Serie, die für den blauen und sichtbaren Spektralbereich optimiert ist. Die NIR-Serie zeichnet sich durch eine hohe Photonendetektionseffizienz (PDE) im roten sowie nahen Infrarot aus und ist somit bestens für Lidar-Anwendungen geeignet.
Märkte
- Automotiv
- Nukleonik
- Kerntechnik
- Messtechnik
- Biophotonik
- Medizin
- Wissenschaft
Applikationen
- Dosiometrie
- Spektroskopie
- Materialprüfung
- Füllstandmessung
- Hochenergiephysik
- PET
- SPECT
- Öl-Logging MWD / LWD
- Isotopenbestimmung
- Lebensmittelanalyse
- Qualitätskontrolle
Merkmale
- Peak-PDE>60% (28% bei 905nm)
- Hohe Bauteilgleichförmigkeit
- Hohe Dynamik >6000 Mikrozellen/mm (NIR)
- Schnelle Erholzeiten ~15 ns (NIR)
- Klassenbestes SNR
- Einkanal- und Mehrkanal (Array) Versionen
- Einsatz in Magnetfeldern möglich
- Automotive Qualifikation
Kundennutzen
- Kompakte Abmaße
- Kostengünstige Lösung
- Hochpräzise Messungen
- Zuverlässige Halbleitertechnologie
- Einsatz unter rauen Betriebsbedingungen
Wichtige Spezifikationen
Teilenummer | Bauart | # Pixel | Abmaße [mm] | Peak PDE [%] | Gain | Tau [ns] | V_break [V] |
AFBR-S4N22P014M | Einzeldetektor | 1 | 2 x 2 | 63 @ 420 nm | 7,3 M | 55 | 32,5 |
AFBR-S4N44P014M | Einzeldetektor | 1 | 4 x 4 | 63 @ 420 nm | 7,3 M | 55 | 32,5 |
AFBR-S4N66P014M | Einzeldetektor | 1 | 6 x 6 | 63 @ 420 nm | 7,3 M | 55 | 32,5 |
AFBR-S4N66P024M | Array | 2 | 6 x 12 | 63 @ 420 nm | 7,3 M | 55 | 32,5 |
AFBR-S4N44P044M | Array | 2 x 2 | 8 x 8 | 63 @ 420 nm | 7,3 M | 55 | 32,5 |
AFBR-S4N44P164M | Array | 4 x 4 | 16 x 16 | 63 @ 420 nm | 7,3 M | 55 | 32,5 |
AFBR-S4KTIA3315B | SiPM mit TIA | 1 | 3 x 3 | 31 @ 430 nm | – | – | – |
AFBR-S4P11P012R | Einzeldetektor | 2 | 1 x 1 | >37 @ 750 nm | 340 k | < 15 | 36,5 |
AFBR-S4P0124P2RA | Array | 1 x 24 | 1.1 x 6 | >37 @ 750 nm | 340 k | < 15 | contact EQ |