UV Laserdioden

Ultec beschreitet neue Wege im Bereich der ultraweiten Bandlückenhalbleiter.

Nach Galliumnitrid (GaN) – dem bahnbrechenden Material hinter Innovationen wie blauen LEDs und Transistoren für kompakte Netzteile – entwickelt sich Aluminiumnitrid (AlN), dem ultraweiten Bandlückenhalbleiter, zum Material der nächsten Generation, das weltweit Aufmerksamkeit erregt.

Als Vorreiter der ultraweiten Bandlückenhalbleiterinnovation hat sich Ultec auf AlN-basierte Bauelementtechnologien spezialisiert – ein Bereich, in dem Ultec umfassende Expertise entwickelt hat. AlN bietet außergewöhnliches Potenzial für Optoelektronik im tiefen Ultraviolettbereich und Leistungsbauelemente der nächsten Generation.

Mithilfe der AlN-Expertise von Ultec entwickelt das Unternehmen bahnbrechende Bauelemente, die die Zukunft der Technologie prägen werden.

Ultec-Laserdioden erzeugen derzeit Laserwellenlängen von 265 nm bis 295 nm, wobei derzeit an der Entwicklung einer Erweiterung des Bereichs auf bis zu 325 nm gearbeitet wird.