Si-Photomultiplier

Si-Photomultiplier – SiPM
von Broadcom

Si-Photomultiplier (SiPM) sind Halbleiter-Bauelemente zum hochempfindlichen Nachweis von Licht. Wie bei klassischen Photomultiplierröhren können einzelne Photonen nachgewiesen werden. Gleichzeitig entsprechen Bauform, Betriebsbedingungen und Kosten weitgehend einfachen Photodioden. SiPMs bestehen aus einem – nicht einzeln adressierbaren – Array von miniaturisierten Single-Photon-Avalanche Dioden (SPAD).
Broadcom SiPMs ermöglichen den Aufbau preiswerter und kompakter Geräte. Kleinste Lichtmengen können unter Verwendung von einfacher Ausleseelektronik gemessen werden, da bereits eine intrinsische Verstärkung von 10e6 vorliegt. Mit ca. 30…40 V Betriebsspannung ist ein kostengünstiges und einfaches Systemdesign, selbst in explosionsgefährdeten Bereichen möglich.
Für die radioaktive Messtechnik empfehlen wir die Bauteile der NUV-MT-Serie, die für den blauen und sichtbaren Spektralbereich optimiert ist. Die NIR-Serie zeichnet sich durch eine hohe Photonendetektionseffizienz (PDE) im roten sowie nahen Infrarot aus und ist somit bestens für Lidar-Anwendungen geeignet.

Märkte

  • Automotiv
  • Nukleonik
  • Kerntechnik
  • Messtechnik
  • Biophotonik
  • Medizin
  • Wissenschaft

Applikationen

  • Dosiometrie
  • Spektroskopie
  • Materialprüfung
  • Füllstandmessung
  • Hochenergiephysik
  • PET
  • SPECT
  • Öl-Logging MWD / LWD
  • Isotopenbestimmung
  • Lebensmittelanalyse
  • Qualitätskontrolle

Merkmale

  • Peak-PDE>60% (29% bei 905nm)
  • Hohe Bauteilgleichförmigkeit
  • Hohe Dynamik >6000 Mikrozellen/mm (NIR)
  • Schnelle Erholzeiten ~15 ns (NIR)
  • Klassenbestes SNR
  • Einkanal- und Mehrkanal (Array) Versionen
  • Einsatz in Magnetfeldern möglich
  • Automotive Qualifikation

Kundennutzen

  • Kompakte Abmaße
  • Kostengünstige Lösung
  • Hochpräzise Messungen
  • Zuverlässige Halbleitertechnologie
  • Einsatz unter rauen Betriebsbedingungen

Wichtige Spezifikationen

Teilenummer Bauart # Pixel Abmaße [mm] Peak PDE [%] Gain Tau [ns] V_break [V]
AFBR-S4N22P014M Einzeldetektor 1 2 x 2 63 @ 420 nm 7,3 M 55 32,5
AFBR-S4N44P014M Einzeldetektor 1 4 x 4 63 @ 420 nm 7,3 M 55 32,5
AFBR-S4N66P014M Einzeldetektor 1 6 x 6 63 @ 420 nm 7,3 M 55 32,5
AFBR-S4N66P024M Array 2 6 x 12 63 @ 420 nm 7,3 M 55 32,5
AFBR-S4N44P044M Array 2 x 2 8 x 8 63 @ 420 nm 7,3 M 55 32,5
AFBR-S4N44P164M Array 4 x 4 16 x 16 63 @ 420 nm 7,3 M 55 32,5
AFBR-S4KTIA3315B SiPM mit TIA 1 3 x 3 31 @ 430 nm
AFBR-S4P11P012R Einzeldetektor 2 1 x 1 >60 @ 720 nm contact EQ < 20 contact EQ
AFBR-S4P0124P2RA Array 1 x 24 1,1 x 1 >60 @ 720 nm contact EQ < 20 contact EQ

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Dr. Frank Kubacki

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