Fotodiode von Opto Diode
SXUV100TF135
Opto Diode entwickelt und fertigt Silizium-Fotodioden, Fotodioden-Verstärkerkombination, PbS- und PbSe-Detektoren und LEDs. Entwicklung, Waferfab und Assembly sind in Camarillo in Kalifornien angesiedelt.
Der Fokus bei Opto Diode ist im Wesentlichen auf Anwendungen in den Bereichen Biotechnologie, Medizin, Industrie, Luft-, Raumfahrt- sowie Militärtechnik. Ein kleines Spektrum an Standardbauteilen liefert einen Eindruck über die Entwicklungs- und Fertigungsmöglichkeiten bei Opto Diode.
Dort wo zur Realisierung spezieller Projekte die Standardbauteile nicht eingesetzt werden, bietet Opto Diode die Möglichkeit, Bauteile maßgeschneidert kundenspezifisch zu entwickeln und zu fertigen. Die Entwicklung spezieller Chipgeometrieen und Trägermaterialen gehört bei Opto Diode zum Tagesgeschäft. Eine kostengünstige Entwicklung bei gleichzeitig kurzer Entwicklungszeit vermeidet unnötige Kompromisse und bietet die optimale Lösung für die jeweilige Aufgabenstellung.
Märkte
Lithografie
Industrie
Lasertechnologie
Applikationen
Speicherringe
XUV/EUV-Lösungen
Beamline-Instrumentierung
Leistungsmonitoring
Merkmale
UV-Photodiode mit Bandpassfilter für 12 nm bis 18 nm
Ideal für 13.5 nm Photolithographieanwendungen sowie Lasermessung und -Justage
Stabile Empfindlichkeit bei Bestrahlung mit Extremer UV-Strahlung (EUV)
Kundennutzen
Schnelle Systemantwort
Einfache Systemintegration
Hohe Strahlenfestigkeit
- Spezifikationen
- Datenblätter
- Videos
- Zusatzprodukte
Zusätzliche Informationen
| Hersteller | Opto Diode |
|---|---|
| Teilenummer | SXUV100TF135 |
| Produktgruppe | Fotodioden |
| Produkt | Fotodiode |
| Wellenlängenbereich | UV |
| Technologie | Si |
| Untere Wellenlänge in nm | 12 |
| Obere Wellenlänge in nm | 18 |
| Spitzenwellenlänge in nm | 13 |
| Abm. empf. Fläche in mm | 10 x 10 |
| Bauform | COS |
| Gehäuseform | C100 |
| Responsivity in A/W | 0,09 |
| Rise Time in ns | 30 |
| Bandpaß 12 bis 18 nm | Ja |
Videos
Kein Video vorhanden
