Opto Diode Corporation, führender Hersteller von standard- und kundenspezifischen infrarot und sichtbaren LEDs sowie Si-Fotodioden, stellt mit dem OD-850-30-030 das erste einer Reihe von Hochleistungs-LED-Arrays vor.
Das neue 30-Chip-LED-Array emittiert im nahen Infrarot (NIR) und liefert bei einer Peakwellenlänge von 850 nm (min. 840 nm / max. 865 nm) eine optische Gesamtleistung von 16 Watt. Zudem bietet das Array, im Unterschied zu vergleichbaren Elementen, sowohl eine bessere Effizienz als auch eine höhere optische Leistung bei einem 30° schmalen Abstrahlwinkel .
Verglichen mit diskret aufgebauten Elementen, erlaubt die kompakte Bauweise des Arrays von Opto Diode auch den Einbau in kritischen Anwendungen mit wenig Platz. Durch den engen Abstrahlwinkel des 30-Chip-NIR-LED-Arrays werden deutlich höhere Intensitäten erreicht, als dies z.B. mit einer Chip-On-Board-Lösung der Fall wäre.
Der Lagertemperaturbereich reicht von -40 bis 125 °C, die Betriebstemperatur von -20 °C bis 100 °C. Die maximale Chiptemperatur liegt bei 125 °C mit einem thermischen Widerstand Chip zu Gehäuse von 0,8 Grad Celsius pro Watt.
Das NIR LED-Array ist optimal geeignet für Nachtsichtsysteme und Hauttherapieanwendungen.
Ab Juli 2010 wird es in OEM-Stückzahlen verfügbar sein.
